SI4923DY-T1-GE3、SI4953ADY-T1-E3、SI4923DY-E3对比区别

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型号 SI4923DY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-E3 SI4923DY-E3

描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOICTransistor

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

引脚数 - 8 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

漏源极电阻 - 0.09 Ω -

极性 - Dual P-Channel -

耗散功率 - 2.00 W -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.90 A, -4.90 A -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -