SZESD7371XV2T1G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 5.3 V
击穿电压 7 V
耗散功率 300 mW
钳位电压 20 V
最小反向击穿电压 7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523-2
外形尺寸
封装 SOD-523-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection, 汽车级，RF 天线, RF Signal ESD Protection, Near Field Communications, USB 2.0, USB 3.0
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZESD7371XV2T1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SZESD7371XV2T1G | ON Semiconductor 安森美 | ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP ESD IN SOD-523 | 搜索库存 |