SZESD7351P2T5G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.3 V
击穿电压 5 V
耗散功率 150 mW
钳位电压 10 V
最小反向击穿电压 5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-923-2
外形尺寸
封装 SOD-923-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Near Field Communications, RF Signal ESD Protection, 汽车级，RF 天线, RF Switching, PA, and Antenna ESD Protection
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZESD7351P2T5G引脚图与封装图
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在线购买SZESD7351P2T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZESD7351P2T5G | ON Semiconductor 安森美 | ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP ESD IN SOD-923 | 搜索库存 |
替代型号SZESD7351P2T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZESD7351P2T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-923-2 | 当前型号 | ESD 抑制器/TVS 二极管 LOW CAP ESD IN SOD-923 | 当前型号 |
| 型号： ESD7351HT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-323 | 完全替代 | 静电保护装置, 10 V, SOD-323, 2 引脚, 150 mW | SZESD7351P2T5G和ESD7351HT1G的区别 |
| 型号： SZESD7351XV2T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-523-2 | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 UNIDIRECTIONAL 5V ESD | SZESD7351P2T5G和SZESD7351XV2T1G的区别 |