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SKP04N60
Infineon 英飞凌 分立器件
SKP04N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 180 ns

额定功率Max 50 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SKP04N60引脚图与封装图
SKP04N60引脚图

SKP04N60引脚图

SKP04N60封装焊盘图

SKP04N60封装焊盘图

在线购买SKP04N60
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SKP04N60 Infineon 英飞凌 在NPT技术的快速IGBT具有柔软,快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 搜索库存