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SPI21N10
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

N-Channel 100V 21A Tc 90W Tc Through Hole PG-TO262-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3


SPI21N10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 21.0 A

极性 N-CH

耗散功率 90W Tc

输入电容 865 pF

栅电荷 38.4 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

输入电容Ciss 865pF @25VVds

额定功率Max 90 W

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPI21N10引脚图与封装图
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