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STP28NM60ND

STP28NM60ND

数据手册.pdf

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220


欧时:
### N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STP28NM60ND power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 19000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes fdmesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
单 N沟道 650 V 0.15 Ω 190 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 23A TO220


STP28NM60ND中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 190 W

输入电容 2090 pF

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 21.5 ns

输入电容Ciss 2090pF @100VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP28NM60ND引脚图与封装图
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