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STD7ANM60N

STD7ANM60N

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装


贸泽:
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin D2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STD7ANM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 363pF @50VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD7ANM60N引脚图与封装图
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STD7ANM60N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存