STL80N75F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 80A
输入电容Ciss 7120pF @25VVds
额定功率Max 80 W
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerFLAT-5x6-8
外形尺寸
封装 PowerFLAT-5x6-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL80N75F6引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STL80N75F6 | ST Microelectronics 意法半导体 | Power N-CH 75V 80A | 搜索库存 |