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STT6N3LLH6

STT6N3LLH6

数据手册.pdf

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6


立创商城:
N沟道 30V 6A


欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STT6N3LLH6, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STT6N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 1600 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes stripfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R


STT6N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.021 Ω

耗散功率 1.6 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 11.2 ns

输入电容Ciss 283pF @24VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 5.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.75 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STT6N3LLH6引脚图与封装图
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在线购买STT6N3LLH6
型号 制造商 描述 购买
STT6N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STT6N3LLH6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STT6N3LLH6

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOT-23

当前型号

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: FDC855N

品牌: 安森美

封装: SOT-23

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