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STD110N8F6

STD110N8F6

数据手册.pdf

DPAK N-CH 80V 80A

N-Channel 80V 80A Tc 167W Tc Surface Mount DPAK


立创商城:
STD110N8F6


得捷:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK


贸泽:
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package


艾睿:
This STD110N8F6 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 167000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with stripfet f6 technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK


STD110N8F6中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 167 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 61 ns

输入电容Ciss 9130pF @40VVds

下降时间 48 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 167W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 6.6 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STD110N8F6引脚图与封装图
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