STI11NM80中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 1630pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STI11NM80引脚图与封装图
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在线购买STI11NM80
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STI11NM80 | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET N-Ch 800V 0.35Ω 11A MDmesh | 搜索库存 |
替代型号STI11NM80
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STI11NM80 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I2PAK | 当前型号 | MOSFET N-Ch 800V 0.35Ω 11A MDmesh | 当前型号 |
| 型号： STB9NK70Z-1 品牌： 意法半导体 封装： I2PAK N-Channel | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STB9NK70Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V | STI11NM80和STB9NK70Z-1的区别 |