制造商型号： | STI11NM80 |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ST(意法半导体) STI11NM80
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STI11NM80 中文资料
数据手册PDF
STI11NM80 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STI11NM80
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
包装
Tube
系列
MDmesh™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
400mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1630pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I2PAK (TO-262)
封装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
库存： 1000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | 54.700886 | 54700.89 |
品牌其他型号
STI11NM80品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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