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STB45N60DM2AG

STB45N60DM2AG

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 34A(Tc) 250W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK


贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK / N-Channel 600 V 34A Tc 250W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


STB45N60DM2AG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-CH

耗散功率 250 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 34A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STB45N60DM2AG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STB45N60DM2AG ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存