STB45N60DM2AG中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-CH
耗散功率 250 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 34A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2500pF @100VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STB45N60DM2AG引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STB45N60DM2AG | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |