SGB15N120ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin2+Tab TO-263

IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2

得捷:
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
SGB15N120ATMA1

Win Source:
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3 / IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Surface Mount PG-TO263-3-2

SGB15N120ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 198000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 198 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 198000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGB15N120ATMA1引脚图与封装图

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