SP8K31TB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

N-Channel + N-Channel 2W 60V 150mOhm SMT 4V Drive MosFet - SOIC-8

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 3.5A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

贸泽:
MOSFET MOSFET 30V 3.5A NCH DUAL

富昌:
N-沟道 + N-沟道 2 W 60 V 150 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - SOIC-8

Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC

SP8K31TB1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 250pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SP8K31TB1引脚图与封装图

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