SI4816BDY-T1-E3、SI4816BDY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4816BDY-T1-E3 SI4816BDY-T1-GE3

描述 双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0155 Ω 0.0155 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N

耗散功率 1 W 1.25 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.8A

上升时间 9 ns 9 ns

额定功率(Max) 1W, 1.25W 1W, 1.25W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 - EAR99