锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI4559ADY-T1-GE3

SI4559ADY-T1-GE3

数据手册.pdf

N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET, N-Ch/P-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rdson 46mohm, Id 4.5A, SO-8, Pd 3.4W


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Si4559ADY 系列 60 V 58 mOhm 表面贴装 双 N & P沟道 MOSFET - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4559ADY-T1-GE3  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 1 V


儒卓力:
**CMOS 60V 5A 58mOhm SO-8 **


SI4559ADY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4559ADY-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4559ADY-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor 搜索库存