SI7120DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 60.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 12 ns
下降时间 12 ns
封装参数
引脚数 8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7120DN-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7120DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 60V 6.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | 搜索库存 |