SI4483EDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -14.0 A
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4483EDY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI4483EDY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |