SIE802DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
封装参数
封装 PolarPAK-10
外形尺寸
封装 PolarPAK-10
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIE802DF-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE802DF-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 30V 42.7A 10Pin PolarPAK T/R | 搜索库存 |