SIR866DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.4 W
阈值电压 2.3 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR866DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIR866DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR866DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 60A, SOIC, 整卷 | 搜索库存 |