SI4477DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -26.6 A
上升时间 42 ns
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4477DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4477DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4477DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V | 搜索库存 |
替代型号SI4477DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4477DY-T1-GE3 品牌： VISHAY 威世 封装： 8-SOIC P-Channel 20V 26.6A 6.2mΩ | 当前型号 | P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI4421DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC-8 P-Channel 20V 14A 8.75mΩ | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mV | SI4477DY-T1-GE3和SI4421DY-T1-GE3的区别 |