SI4421DY-T1-GE3、SI4477DY-T1-GE3、SI4423DY-T1-E3对比区别

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型号 SI4421DY-T1-GE3 SI4477DY-T1-GE3 SI4423DY-T1-E3

描述 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.007 ohm, -4.5 V, -800 mVP通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFETSI4423DY-T1-E3 编带

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.007 Ω 0.0051 Ω 0.006 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.5 W 3 W 1.5 W

阈值电压 - - 400 mV

漏源极电压(Vds) -20.0 V 20 V 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) -14.0 A -26.6 A -14.0 A

上升时间 90 ns 42 ns 165 ns

额定功率(Max) - 6.6 W 1.5 W

下降时间 170 ns 42 ns 210 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW 3000 mW

输入电容(Ciss) - 4600pF @10V(Vds) -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC