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SUD09P10-195-GE3

SUD09P10-195-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SUD09P10-195-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -100 V, 0.162 ohm, -10 V, -1 V

The is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for DC/DC converters and power switch applications.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
单通道 P 沟道 100 V 0.195 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# VISHAY  SUD09P10-195-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -8.8 A, -100 V, 0.162 ohm, -10 V, -1 V


儒卓力:
**P-CH 100V 9A 195mOhm TO252-3 **


SUD09P10-195-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.162 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

SUD09P10-195-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SUD09P10-195-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SUD09P10-195-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -100 V, 0.162 ohm, -10 V, -1 V 搜索库存