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SILICONIX(威世) SUD09P10-195-GE3

SILICONIX(威世) SUD09P10-195-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SUD09P10-195-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

国内现货
digikey

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SUD09P10-195-GE3 中文资料

SUD09P10-195-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 36.4 A

漏源电阻 195 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 23.2 nC

耗散功率 113.6 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9 ns

正向跨导(Min) 12 S

上升时间 12 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns

典型接通延迟时间 7 ns

外形参数

高度 2.38 mm

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SUD09P10-195-BE3

单位重量 330 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥5.767062 总价:¥5.77

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 5.767062 5.77
10 5.127852 51.28
100 4.000274 400.03
500 3.304344 1652.17
1000 2.608637 2608.64
品牌其他型号
SUD09P10-195-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SUD09P10-195-GE3、查询SUD09P10-195-GE3代理商; SUD09P10-195-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SUD09P10-195-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SUD09P10-195-GE3替代型号SUD09P10-195-GE3数据手册PDF