SI5403DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 6.3 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 1340pF @15VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 ChipFET-8
外形尺寸
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
封装 ChipFET-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI5403DC-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI5403DC-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5403DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8 | 搜索库存 |
替代型号SI5403DC-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5403DC-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： ChipFET-8 P-Channel -30V 6A | 当前型号 | P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SMD-8 | 当前型号 |
| 型号： SI5435BDC-T1-GE3 品牌： 威世 封装： 1206 P-Channel 30V 5.9A | 功能相似 | VISHAY SI5435BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 5.9A, 1206 | SI5403DC-T1-GE3和SI5435BDC-T1-GE3的区别 |