SIA430DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0185 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA430DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIA430DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA430DJ-T1-GE3 晶体管, N沟道, 12A, 20V, 3.5W | 搜索库存 |