SIA466EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0079 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 19.2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 73 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 19200 mW
封装参数
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA466EDJ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA466EDJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIA466EDJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 25A, SC70-6 | 搜索库存 |