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SI1304BDL-T1-E3、SI1308EDL-T1-GE3、PMF370XN,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI1304BDL-T1-E3 SI1308EDL-T1-GE3 PMF370XN,115

描述 N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFETN 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorN 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-323-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.216 Ω 0.11 Ω 0.37 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 370 mW 0.4 W 0.56 W

阈值电压 1.3 V 600 mV 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 900 mA 1.5A -

上升时间 30 ns 20 ns 9.5 ns

输入电容(Ciss) 100pF @15V(Vds) 105pF @15V(Vds) 37pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 370 mW 500 mW 560 mW

下降时间 10 ns 12 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

输入电容 - 105 pF 37 pF

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW 560 mW

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SOT-323-3

长度 - 2.2 mm 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm 1.35 mm

高度 - 1 mm 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - Active Active

最小包装 - 3000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -