SSVPZT751T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 75 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.8 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 2A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
SSVPZT751T1G引脚图与封装图
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| SSVPZT751T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS SOT223 HC XSTR SP | 搜索库存 |