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SMA3117-TL-H

SMA3117-TL-H

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ON SemiconductorMMIC(单片微波集成电路)宽频带射频放大器来自 ON Semiconductor,适用于多个 GHz 操作。### 无线电频率 RF 放大器,ON Semiconductors

射频放大器,

MMIC(单片微波集成电路)宽频带射频放大器来自 ON Semiconductor,适用于多个 GHz 操作。

### 无线电频率 RF 放大器,ON Semiconductors


得捷:
IC RF AMP GPS 100MHZ-3GHZ 6MCPH


欧时:
### 射频放大器,ON SemiconductorMMIC(单片微波集成电路)宽频带射频放大器来自 ON Semiconductor,适用于多个 GHz 操作。### 无线电频率 RF 放大器,ON Semiconductors


立创商城:
MMIC,射频放大器,5 V,22.7 mA,0.1 至 3 GHz


e络盟:
射频放大器, 33.5 dB增益/4.1 dB噪声, 100 MHz至3 GHz, 4.5 V至5.5 V电源, MCPH-6


艾睿:
Not receiving the proper signal? This general purpose amplifier SMA3117-TL-H buffer amplifier manufactured from ON Semiconductor, will help clean up the signal. Its maximum power dissipation is 280 mW. This RF amplifier chip has a temperature range of -40 °C to 85 °C. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a single channel per chip. This device uses a single power supply.


Allied Electronics:
SMA3117-TL-H, RF Amplifier Wide Band, 33.5 dB 3 GHz, 6-Pin MCPH


安富利:
RF Amp Chip Single GP 3GHz 5.5V 3-Pin MCPH T/R


Verical:
RF Amp Single Wideband Amp 3GHz 5.5V 6-Pin MCPH T/R


SMA3117-TL-H中文资料参数规格
技术参数

频率 100MHz ~ 3GHz

无卤素状态 Halogen Free

供电电流 40 mA

通道数 1

针脚数 6

耗散功率 0.28 W

输出功率 9.8 dBm

增益 33.5 dB

测试频率 2.2 GHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 280 mW

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MCPH-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 MCPH-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SMA3117-TL-H引脚图与封装图
SMA3117-TL-H引脚图

SMA3117-TL-H引脚图

SMA3117-TL-H封装焊盘图

SMA3117-TL-H封装焊盘图

在线购买SMA3117-TL-H
型号 制造商 描述 购买
SMA3117-TL-H ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor MMIC(单片微波集成电路)宽频带射频放大器来自 ON Semiconductor,适用于多个 GHz 操作。 ### 无线电频率 RF 放大器,ON Semiconductors 搜索库存
替代型号SMA3117-TL-H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SMA3117-TL-H

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: MCPH-6 33.5dB

当前型号

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