SA11ARLG中文资料参数规格
技术参数
最大反向电压（Vrrm） 11V
脉冲峰值功率 500 W
最小反向击穿电压 12.2 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AC
外形尺寸
封装 DO-204AC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SA11ARLG引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SA11ARLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SA11ARLG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-204AC | 当前型号 | 11V 500W | 当前型号 |
| 型号： 1.5KE13ARL4G 品牌： 安森美 封装： Case | 功能相似 | 1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>16kV/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | SA11ARLG和1.5KE13ARL4G的区别 |
| 型号： SA11A 品牌： 力特 封装： DO-15 11V 500W | 功能相似 | 硅雪崩二极管 - 500瓦轴向引线型瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 500 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors | SA11ARLG和SA11A的区别 |