SMF8.0AT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 8.00 V
额定功率 200 W
击穿电压 9.36 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 8.89 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123FL
外形尺寸
长度 2.90 mm
宽度 1.80 mm
高度 1.00 mm
封装 SOD-123FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SMF8.0AT1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SMF8.0AT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMF8.0AT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-123FL 8V 200W | 当前型号 | TVS ZENER 200W 8V SOD123FL | 当前型号 |
| 型号： SMF8.0AT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123FL 8V 200W | 类似代替 | SMF5.0AT1 系列 9.83 V 200 W 瞬态电压抑制二极管 - SOD-123FL | SMF8.0AT1和SMF8.0AT1G的区别 |
| 型号： SMF8.0A 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | Transient Suppressor, | SMF8.0AT1和SMF8.0A的区别 |