SMF8.5AT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 85.0 V
额定功率 175 W
击穿电压 99.2 V
脉冲峰值功率 200 W
最小反向击穿电压 9.44 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123FL
外形尺寸
长度 2.90 mm
宽度 1.80 mm
高度 1.00 mm
封装 SOD-123FL
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SMF8.5AT1引脚图与封装图
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替代型号SMF8.5AT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMF8.5AT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-123FL 85V 175W | 当前型号 | TVS ZENER 200W 8.5V SOD123FL | 当前型号 |
| 型号： SMF8.5AT1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123F 85V 175W | 完全替代 | TVS DIODE 8.5VWM SOD123FL | SMF8.5AT1和SMF8.5AT1G的区别 |
| 型号： 1SMB8.5AT3G 品牌： 安森美 封装： SMB 85V 600W | 功能相似 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | SMF8.5AT1和1SMB8.5AT3G的区别 |
| 型号： SMF8.5A 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | Transient Suppressor, | SMF8.5AT1和SMF8.5A的区别 |