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SN74S37DR

SN74S37DR

TI(德州仪器) 主动器件

NAND Gate 4Element 2IN Bipolar 14Pin SOIC T/R

NAND Gate IC 4 Channel 14-SOIC


得捷:
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC


Chip1Stop:
NAND Gate 4-Element 2-IN Bipolar 14-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC / NAND Gate IC 4 Channel 14-SOIC


SN74S37DR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.75V ~ 5.25V

输出电流 60.0 mA

电路数 4

电压波节 5.00 V

静态电流 46.0 mA

逻辑门个数 4

输出电流驱动 -50.0 µA

输入数 2

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SN74S37DR引脚图与封装图
SN74S37DR引脚图

SN74S37DR引脚图

SN74S37DR封装图

SN74S37DR封装图

SN74S37DR封装焊盘图

SN74S37DR封装焊盘图

在线购买SN74S37DR
型号 制造商 描述 购买
SN74S37DR TI 德州仪器 NAND Gate 4Element 2IN Bipolar 14Pin SOIC T/R 搜索库存
替代型号SN74S37DR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SN74S37DR

品牌: TI 德州仪器

封装: 14SOIC 4.75V to 5.25V 14Pin

当前型号

NAND Gate 4Element 2IN Bipolar 14Pin SOIC T/R

当前型号

型号: SN74S37DRE4

品牌: 德州仪器

封装: 14-SOIC 4.75V to 5.25V 14Pin

完全替代

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC

SN74S37DR和SN74S37DRE4的区别

型号: SN74S37DRG4

品牌: 德州仪器

封装: 14-SOIC 4.75V to 5.25V 14Pin

完全替代

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14-SOIC

SN74S37DR和SN74S37DRG4的区别

型号: SN74S37DE4

品牌: 德州仪器

封装: 4.75V to 5.25V 14Pin

完全替代

四路2输入正与非缓冲区 QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS

SN74S37DR和SN74S37DE4的区别