SBT80-04Y-DL-E中文资料参数规格
技术参数
正向电压 550mV @3A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SBT80-04Y-DL-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBT80-04Y-DL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBT80-04Y-DL-E | ON Semiconductor 安森美 | Specifications: Diode Type: Schottky ; Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode ; Voltage - DC Reverse Vr Max: 40V ; Current - Average Rectified Io per Diode: 8A ; Voltage - Forward Vf Max @ If: 550mV @ 3A ; Current - Reverse Leakage @ | 搜索库存 |