SBT80-10JS中文资料参数规格
技术参数
正向电压 800mV @3A
正向电流Max 8 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SBT80-10JS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SBT80-10JS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBT80-10JS | ON Semiconductor 安森美 | Specifications: Diode Type: Schottky ; Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode ; Voltage - DC Reverse Vr Max: 100V ; Current - Average Rectified Io per Diode: 8A ; Voltage - Forward Vf Max @ If: 800mV @ 3A ; Current - Reverse Leakage @ | 搜索库存 |