SZESD7451N2T5G中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.3 V
电容 0.35 pF
击穿电压 5 V
通道数 1
针脚数 2
耗散功率 250 mW
钳位电压 13 V
最小反向击穿电压 6 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-882
外形尺寸
封装 SOD-882
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级，RF 天线
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZESD7451N2T5G引脚图与封装图
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在线购买SZESD7451N2T5G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZESD7451N2T5G | ON Semiconductor 安森美 | ESD保护二极管 | 搜索库存 |
替代型号SZESD7451N2T5G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZESD7451N2T5G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-882 | 当前型号 | ESD保护二极管 | 当前型号 |
| 型号： ESD7551N2T5G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 静电保护装置, 13 V, X2DFN, 2 引脚 | SZESD7451N2T5G和ESD7551N2T5G的区别 |
| 型号： ESD7451N2T5G 品牌： 安森美 封装： SOD-882 | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 BI-DIRECTIONAL 5V ESD PR | SZESD7451N2T5G和ESD7451N2T5G的区别 |