SZMMBZ16VTALT1G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.3 W
钳位电压 23 V
最大反向电压（Vrrm） 13V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 16.32 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 15.68 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SZMMBZ16VTALT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SZMMBZ16VTALT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZMMBZ16VTALT1G | ON Semiconductor 安森美 | SOT-23 13V 40W | 搜索库存 |
替代型号SZMMBZ16VTALT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZMMBZ16VTALT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-236 | 当前型号 | SOT-23 13V 40W | 当前型号 |
| 型号： MMBZ16VALT1G 品牌： 安森美 封装： TO-236-3 | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 5% VZ TOLERAN | SZMMBZ16VTALT1G和MMBZ16VALT1G的区别 |
| 型号： MMBZ16VTALT1G 品牌： 安森美 封装： | 类似代替 | ESD 抑制器/TVS 二极管 ZENER SOT23 2% VZ TOLERANCE | SZMMBZ16VTALT1G和MMBZ16VTALT1G的区别 |
| 型号： SZMMBZ16VALT1G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | SOT-23 13V 40W | SZMMBZ16VTALT1G和SZMMBZ16VALT1G的区别 |