
SBC847CDW1T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 380 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 800 @2mA, 5V
额定功率Max 380 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SBC847CDW1T1G引脚图与封装图
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在线购买SBC847CDW1T1G
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SBC847CDW1T1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |