SI7440DP-T1
Vishay Semiconductor
威世
晶体管
SI7440DP-T1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 65.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.90 W
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
封装参数
封装 SO
外形尺寸
封装 SO
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7440DP-T1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI7440DP-T1 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V （D -S ）快速开关MOSFET N-Channel 30-V D-S Fast Switching MOSFET | 搜索库存 |