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SN65LVDS19DRFT

SN65LVDS19DRFT

TI(德州仪器) 电子元器件分类

具有使能端的 2.5V/3.3V 振荡器增益级/缓冲器 8-WSON -40 to 85

These four devices are high frequency oscillator gain stages supporting both LVPECL or LVDS on the high gain outputs in 3.3-V or 2.5-V systems. Additionally, provides the option of both single-ended input PECL levels on the SN65LVx18 and fully differential inputs on the SN65LVx19.

The SN65LVx18 provides the user a Gain Control GC for controlling the Q output from 300 mV to 860 mV either by leaving it open NC, grounded, or tied to VCC. When left open, the Q output defaults to 575 mV. The Q on the SN65LVx19 defaults to 575 mV as well.

Both devices provide a voltage reference VBB of typically 1.35 V below VCC for use in receiving single-ended PECL input signals. When not used, VBB should be unconnected or open.

All devices are characterized for operation from -40°C to 85°C.

SN65LVDS19DRFT中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50 V, 3.30 V

输出电流 400 µA

供电电流 30 mA

通道数 1

耗散功率 403 mW

输入电流Min 20 μA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 403 mW

电源电压 2.375V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WSON-8

外形尺寸

封装 WSON-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SN65LVDS19DRFT引脚图与封装图
SN65LVDS19DRFT引脚图

SN65LVDS19DRFT引脚图

SN65LVDS19DRFT封装图

SN65LVDS19DRFT封装图

SN65LVDS19DRFT封装焊盘图

SN65LVDS19DRFT封装焊盘图

在线购买SN65LVDS19DRFT
型号 制造商 描述 购买
SN65LVDS19DRFT TI 德州仪器 具有使能端的 2.5V/3.3V 振荡器增益级/缓冲器 8-WSON -40 to 85 搜索库存
替代型号SN65LVDS19DRFT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SN65LVDS19DRFT

品牌: TI 德州仪器

封装: WSON-8 8Pin 2.5V

当前型号

具有使能端的 2.5V/3.3V 振荡器增益级/缓冲器 8-WSON -40 to 85

当前型号

型号: SN65LVDS19DRFR

品牌: 德州仪器

封装: 8-WFDFN 2.5V

完全替代

LVDS 接口集成电路 2.5/3.3-V Oscillator Gain Stage/Buffer

SN65LVDS19DRFT和SN65LVDS19DRFR的区别

型号: SN65LVDS19DRFRG4

品牌: 德州仪器

封装: 8-WFDFN 2.5V

完全替代

2.5V/3.3V Oscillator Gain Stage/Buffer with Enable 8-WSON -40℃ to 85℃

SN65LVDS19DRFT和SN65LVDS19DRFRG4的区别