SN65LVDS101DR
TI(德州仪器)
电子元器件分类
SN65LVDS101DR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.00V min
输出电流 12.0 µA
供电电流 50 mA
通道数 1
耗散功率 481 mW
输入电容 .6 pF
输入电流Min 66 μA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 481 mW
电源电压 3V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 -
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SN65LVDS101DR引脚图与封装图 
SN65LVDS101DR引脚图
SN65LVDS101DR封装图
SN65LVDS101DR封装焊盘图
在线购买SN65LVDS101DR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SN65LVDS101DR | TI 德州仪器 | 微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER | 搜索库存 |
替代型号SN65LVDS101DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SN65LVDS101DR 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 3V | 当前型号 | 微分翻译/中继器 DIFFERENTIAL TRANSLATOR/REPEATER | 当前型号 |
| 型号： SN65LVDS100D 品牌： 德州仪器 封装： | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS SN65LVDS100D 芯片, 中继器 LVDS | SN65LVDS101DR和SN65LVDS100D的区别 |
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| 型号： SN65LVDS101D 品牌： 德州仪器 封装： | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS SN65LVDS101D 芯片, 差分转换器/中继器, 2GBPS, SOIC-8 新 | SN65LVDS101DR和SN65LVDS101D的区别 |