SI8261BAC-C-IPR
数据手册.pdfSilicon Labs(芯科)
主动器件
SI8261BAC-C-IPR中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 5.5ns, 8.5ns
通道数 1
正向电压 2.8V Max
耗散功率 300 mW
隔离电压 3750 Vrms
正向电流 30 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8261BAC-C-IPR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI8261BAC-C-IPR | Silicon Labs 芯科 | Digital Isolator Open Drain 1CH Automotive 8Pin DIP SMD T/R | 搜索库存 |
替代型号SI8261BAC-C-IPR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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