SE5532AD8R2中文资料参数规格
技术参数
供电电流 8 mA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 780 mW
共模抑制比 80 dB
增益频宽积 10 MHz
输入补偿电压 500 µV
输入偏置电流 200 nA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
SE5532AD8R2引脚图与封装图 
SE5532AD8R2引脚图
SE5532AD8R2封装图
SE5532AD8R2封装焊盘图
在线购买SE5532AD8R2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SE5532AD8R2 | ON Semiconductor 安森美 | 内部补偿双低噪声运算放大器 Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier | 搜索库存 |