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STD55N4F5

N沟道40 V , 7.3 MI © , 40 A , DPAK STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK STripFET™ V Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 40 V 55A(Tc) 60W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 7.3 m" 40A STripFET V


艾睿:
Compared to traditional transistors, STD55N4F5 power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 60000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 55A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD55N4F5 系列 40 V 8.5 mOhm N 沟道 STripFET™ V 功率 MOSFET - TO-252


力源芯城:
40V,55A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK


STD55N4F5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8.5 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD55N4F5引脚图与封装图
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在线购买STD55N4F5
型号 制造商 描述 购买
STD55N4F5 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道40 V , 7.3 MI © , 40 A , DPAK STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK STripFET™ V Power MOSFET 搜索库存
替代型号STD55N4F5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD55N4F5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252-3

当前型号

N沟道40 V , 7.3 MI © , 40 A , DPAK STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 40 V, 7.3 mΩ, 40 A, DPAK STripFET™ V Power MOSFET

当前型号

型号: STD18N55M5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 550V 16A

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型号: STD3NK60ZT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 600V 2.4A 3.6Ω

类似代替

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STD55N4F5和STD3NK60ZT4的区别

型号: STD6N95K5

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 950V 9A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

STD55N4F5和STD6N95K5的区别