SFT1431-TL-E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1W Ta, 15W Tc
漏源极电压Vds 35 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 960pF @20VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SFT1431-TL-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SFT1431-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SFT1431-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | 11A,35V,N沟道MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SFT1431-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SFT1431-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TP-FA N-CH 35V 11A | 当前型号 | 11A,35V,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SFT1431-TL-W 品牌： 安森美 封装： DPAK N-CH 35V 11A | 类似代替 | DPAK N-CH 35V 11A | SFT1431-TL-E和SFT1431-TL-W的区别 |