SZMMBZ15VALT1G中文资料参数规格
技术参数
额定功率 40 W
击穿电压 14.25 V
耗散功率 40 W
钳位电压 21 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 15.75 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 14.25 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SZMMBZ15VALT1G引脚图与封装图
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在线购买SZMMBZ15VALT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SZMMBZ15VALT1G | ON Semiconductor 安森美 | SZMMBZXXXALT1G 系列 21 V 40 W 双 共阳极 齐纳 TVS 二极管 - SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号SZMMBZ15VALT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SZMMBZ15VALT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 | 当前型号 | SZMMBZXXXALT1G 系列 21 V 40 W 双 共阳极 齐纳 TVS 二极管 - SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： MMBZ15VALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 15V 1A 40W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ15VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 12 V, 21 V, SOT-23, 3 引脚 | SZMMBZ15VALT1G和MMBZ15VALT1G的区别 |
| 型号： MMBZ15VDLT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 15V 1A 40W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ15VDLT1G... 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C | SZMMBZ15VALT1G和MMBZ15VDLT1G的区别 |