SNSS20101JT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 350 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-89-3
外形尺寸
封装 SC-89-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SNSS20101JT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SNSS20101JT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SNSS20101JT1G | ON Semiconductor 安森美 | SC-89 NPN 20V 2A | 搜索库存 |
替代型号SNSS20101JT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SNSS20101JT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-89 NPN 0.3W | 当前型号 | SC-89 NPN 20V 2A | 当前型号 |
| 型号： NSS20101JT1G 品牌： 安森美 封装： SC-89-3 NPN 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR NSS20101JT1G 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 350 MHz, 255 mW, 1 A, 100 hFE | SNSS20101JT1G和NSS20101JT1G的区别 |
| 型号： NSV20101JT1G 品牌： 安森美 封装： SC-89-3 NPN 0.3W | 类似代替 | NSS20101J: 20 V，1.0 A，低饱和压，NPN 双极晶体管 | SNSS20101JT1G和NSV20101JT1G的区别 |