SBC847BPDXV6T1G中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 357 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SBC847BPDXV6T1G引脚图与封装图
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在线购买SBC847BPDXV6T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBC847BPDXV6T1G | ON Semiconductor 安森美 | 1个NPN,1个PNP 45V 100mA | 搜索库存 |
替代型号SBC847BPDXV6T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SBC847BPDXV6T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-563 NPN PNP 500mW | 当前型号 | 1个NPN,1个PNP 45V 100mA | 当前型号 |
| 型号： SMBT3904DW1T1G 品牌： 安森美 封装： 6-TSSOP NPN 150000mW | 功能相似 | MBT 系列 40 V 200 mA 表面贴装 NPN 硅 双 通用 晶体管 - SOT-363 | SBC847BPDXV6T1G和SMBT3904DW1T1G的区别 |